[发明专利]半导体开关的高频控制无效
| 申请号： | 200480022194.X | 申请日： | 2004-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN1830144A | 公开（公告）日： | 2006-09-06 |
| 发明（设计）人： | T·G·托勒;T·迪尔鲍姆;G·绍尔莱恩德;T·罗佩斯 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/0412 | 分类号： | H03K17/0412 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;王忠忠 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 谐振栅极驱动器电路提供了例如对MOSFET的高效开关。然而，谐振栅极驱动器电路的操作常常不能应用于要求高开关频率的应用中。根据本发明，执行对谐振栅极驱动器电路的电感器的预充电。这样可以实现MOSFET的高能量效率以及快速的操作。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 开关 高频 控制 | ||
【主权项】：
1、一种操作用于驱动半导体开关的谐振驱动器电路的方法，其中该驱动器电路包括第一开关和第二开关，第一开关用于将电源通过电感器连接到该半导体开关的控制端，第二开关连接到该半导体开关的控制端以用于控制该半导体开关的开关动作，该方法包括以下步骤：在第二开关的开关动作之前对该电感器进行预充电。
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