[发明专利]多芯片式半导体器件无效

专利信息
申请号: 200480022244.4 申请日: 2004-08-02
公开(公告)号: CN1833318A 公开(公告)日: 2006-09-13
发明(设计)人: 谷内秀生 申请(专利权)人: 松下电器产业株式会社
主分类号: H01L25/04 分类号: H01L25/04;H01L25/18
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 沈昭坤
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 高耐压的第1半导体芯片(1)和低耐压的第2半导体芯片(2)在组件(3)内互相连接。第1半导体芯片(1)包括:电压变换电路(4);和第2半导体芯片(2)连接用的多个第1芯片间连接单元(10);第1串行译码器(6);及用于与引出至组件(3)外的外部连接端(12)连接用的外部连接单元(13),低耐压的第2半导体芯片(2)包括:第2串行译码器(5);以及和第1半导体芯片(1)连接用的第(2)芯片间连接单元(11)。还设置直接连接多个第1芯片间连接单元(10)和多个第2芯片间连接单元(11)的接合线(9)。
搜索关键词: 芯片 半导体器件
【主权项】:
1.一种多芯片式半导体器件,其特征在于,在组件(3)内使第1半导体芯片(1)和第2半导体芯片(2)互相连接构成,所述第1半导体芯片(1)包括:电压变换电路(4);和所述第2半导体芯片(2)连接用的多个第1芯片间连接单元(10);第1串行译码器(6);引出至组件(3)外的外部连接端(12);与该外部连接端(12)连接用的外部连接单元(13),所述第2半导体芯片(2)包括:第2串行译码器(5);和所述第1半导体芯片(1)连接用的多个第2芯片间连接单元(11),还包括将所述多个第1芯片间连接单元(10)和所述多个第2芯片间连接单元(11)直接连接的接合线(9),其结构做成:自外部连接端(12)输入的串行数据通过所述电压变换电路(4)、所述第1芯片间连接单元(10)、和所述第2芯片间连接单元(11),传递给所述第2串行译码器(5)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200480022244.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top