[发明专利]多芯片式半导体器件无效
申请号: | 200480022244.4 | 申请日: | 2004-08-02 |
公开(公告)号: | CN1833318A | 公开(公告)日: | 2006-09-13 |
发明(设计)人: | 谷内秀生 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L25/04 | 分类号: | H01L25/04;H01L25/18 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 沈昭坤 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 高耐压的第1半导体芯片(1)和低耐压的第2半导体芯片(2)在组件(3)内互相连接。第1半导体芯片(1)包括:电压变换电路(4);和第2半导体芯片(2)连接用的多个第1芯片间连接单元(10);第1串行译码器(6);及用于与引出至组件(3)外的外部连接端(12)连接用的外部连接单元(13),低耐压的第2半导体芯片(2)包括:第2串行译码器(5);以及和第1半导体芯片(1)连接用的第(2)芯片间连接单元(11)。还设置直接连接多个第1芯片间连接单元(10)和多个第2芯片间连接单元(11)的接合线(9)。 | ||
搜索关键词: | 芯片 半导体器件 | ||
【主权项】:
1.一种多芯片式半导体器件,其特征在于,在组件(3)内使第1半导体芯片(1)和第2半导体芯片(2)互相连接构成,所述第1半导体芯片(1)包括:电压变换电路(4);和所述第2半导体芯片(2)连接用的多个第1芯片间连接单元(10);第1串行译码器(6);引出至组件(3)外的外部连接端(12);与该外部连接端(12)连接用的外部连接单元(13),所述第2半导体芯片(2)包括:第2串行译码器(5);和所述第1半导体芯片(1)连接用的多个第2芯片间连接单元(11),还包括将所述多个第1芯片间连接单元(10)和所述多个第2芯片间连接单元(11)直接连接的接合线(9),其结构做成:自外部连接端(12)输入的串行数据通过所述电压变换电路(4)、所述第1芯片间连接单元(10)、和所述第2芯片间连接单元(11),传递给所述第2串行译码器(5)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200480022244.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类