[发明专利]包括抗化学处理保护层的结构的制造有效
申请号: | 200480022339.6 | 申请日: | 2004-07-29 |
公开(公告)号: | CN1833315A | 公开(公告)日: | 2006-09-13 |
发明(设计)人: | B·吉斯兰;O·雷萨克 | 申请(专利权)人: | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程伟 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 法国;FR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种用于制造包括埋入层的多层结构并用于电学、光学和光电子学设计的方法,包括a)形成包括埋入层得结构的层,和b)使用用于充分蚀刻埋入层材料的化学种类化学处理所述的结构。步骤a)包括形成设置在埋入层上的埋入保护层,并选择埋入保护层的材料使其能够足够抗蚀在步骤b)中使用的处理化学种类的化学侵蚀,从而阻碍所述化学种类穿过其到达埋入层的可能入口。也公开了用于制造电学、光学和光电子学设计的结构的所述方法的使用。 | ||
搜索关键词: | 包括 化学 处理 保护层 结构 制造 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造具有包括埋入层的用于电学、光学或光电子学的多层的结构的方法,该方法包括以下连续的步骤:a.形成该结构的层,包括形成埋入层;b.使用易于充分蚀刻构成埋入层材料的化学种类化学处理该结构;特征在于步骤a)包括在埋入层上形成其本身也埋入的保护层,选择保护层的材料以足够抵抗在步骤b)期间使用的处理的化学种类的化学侵蚀,由此阻碍这些种类通过其会渗入到达埋入层的可能入口。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司,未经S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200480022339.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造