[发明专利]包括抗化学处理保护层的结构的制造有效

专利信息
申请号: 200480022339.6 申请日: 2004-07-29
公开(公告)号: CN1833315A 公开(公告)日: 2006-09-13
发明(设计)人: B·吉斯兰;O·雷萨克 申请(专利权)人: S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
主分类号: H01L21/762 分类号: H01L21/762
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 程伟
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 发明涉及一种用于制造包括埋入层的多层结构并用于电学、光学和光电子学设计的方法,包括a)形成包括埋入层得结构的层,和b)使用用于充分蚀刻埋入层材料的化学种类化学处理所述的结构。步骤a)包括形成设置在埋入层上的埋入保护层,并选择埋入保护层的材料使其能够足够抗蚀在步骤b)中使用的处理化学种类的化学侵蚀,从而阻碍所述化学种类穿过其到达埋入层的可能入口。也公开了用于制造电学、光学和光电子学设计的结构的所述方法的使用。
搜索关键词: 包括 化学 处理 保护层 结构 制造
【主权项】:
1.一种用于制造具有包括埋入层的用于电学、光学或光电子学的多层的结构的方法,该方法包括以下连续的步骤:a.形成该结构的层,包括形成埋入层;b.使用易于充分蚀刻构成埋入层材料的化学种类化学处理该结构;特征在于步骤a)包括在埋入层上形成其本身也埋入的保护层,选择保护层的材料以足够抵抗在步骤b)期间使用的处理的化学种类的化学侵蚀,由此阻碍这些种类通过其会渗入到达埋入层的可能入口。
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