[发明专利]测量耀斑对线宽的影响

摘要

在光刻中，可以确定由于各种曝光工具引起的耀斑的影响。在示例性实施例中，在涂有光致抗蚀剂的衬底上进行的光刻工艺中，存在用于确定耀斑对线缩短的影响的方法(600)。该方法(600)包括，在第一次曝光中，在衬底上的第一个管芯位置处印制第一掩模(610)，该第一掩模(610)包括与第一掩模(610)的一个角相对应的耀斑图形(110)，以及在第二次曝光中，印制第二掩模(620)，其包括与第二掩模的对角相对应的另一个耀斑图形。在衬底上的第二个管芯位置处，印制基于第一掩模和第二掩模的特征的复合掩模图形(630)。显影所印制的图形(640)，并从其中得到测量结果(650)。作为这些测量结果的函数，确定耀斑的影响(660)。

主权项

1.在涂有光致抗蚀剂的衬底上进行的光刻工艺中，用于确定耀斑对线缩短的影响的方法(600)，该方法包括：在第一次曝光中，在衬底上的第一管芯位置处印制暗场掩模(610)，该暗场掩模(610)在衬底上包括与该暗场掩模的一个角相对应的耀斑图形、校正框开口、以及聚焦框图形，以及在第二次曝光中，印制亮场掩模(620)，其包括与该亮场掩模的对角相对应的另一个耀斑图形；在衬底上的第二管芯位置处，印制基于暗场掩模的特征和亮场掩模的特征的复合掩模图形(630)；显影所印制的图形(640)并从其中得到测量结果(650)；并且作为这些测量结果的函数，确定耀斑的影响(660)。