[发明专利]曝光方法及曝光装置、载置台装置、及设备制造方法有效
| 申请号： | 200480022536.8 | 申请日： | 2004-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN1833309A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 柴崎祐一 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 钟强;关兆辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 为了在对一个晶片载置台(WST1)上的晶片进行曝光动作的同时进行两个晶片载置台(WST1、WST2)的替换，使另一个晶片载置台(WST2)暂时位于一个晶片载置台的下方，通过包含该步骤，可以在对一个晶片载置台上的晶片进行曝光动作的同时进行两个晶片载置台的替换动作(交换动作)，上述两个晶片载置台的替换动作基于使另一个晶片载置台暂时位于该一个晶片载置台的下方的方式，这样一来，与从对一个晶片载置台上的晶片的曝光动作结束的时刻开始进行两个晶片载置台的替换动作时相比，可在短时间内进行该替换。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 方法 装置 载置台 设备 制造 | ||
【主权项】：
1.一种曝光方法，交互地进行对二个基板载置台上的基板的曝光处理，其中，包括以下步骤：为了在对一个基板载置台上的基板进行曝光动作的同时进行两个基板载置台的替换，使另一个基板载置台暂时位于上述一个基板载置台的下方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
