[发明专利]具有高速缓存数据接口的高密度闪存无效

专利信息
申请号: 200480022666.1 申请日: 2004-07-13
公开(公告)号: CN1833291A 公开(公告)日: 2006-09-13
发明(设计)人: 托马斯·勒尔;迈克尔·雅各布;诺伯特·雷姆;汉斯-奥利弗·约瑟夫 申请(专利权)人: 因芬奈昂技术股份有限公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C11/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 朱进桂
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 一种数据存储元件包括:控制器、FeRAM存储单元和具有远高于FeRAM存储单元的数据存储容量的闪存单元。最初,数据存储元件接收到数据,控制器将其存储在FeRAM存储单元中。因为FeRAM元件具有高的写速率,这可以非常快地完成。其后,控制器将数据转移到闪存单元中。因此,数据存储元件组合了FeRAM元件的高存储速率能力和闪存元件的高存储容量。
搜索关键词: 具有 高速缓存 数据 接口 高密度 闪存
【主权项】:
1、一种数据存储元件,包括:控制器、第一非易失性存储单元、第二非易失性存储单元和数据接口,控制器被设置为:当元件通过数据接口接收用于存储的数据时,将数据存储在第一非易失性存储单元中,并且随后将数据转移到闪存单元中。
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