[发明专利]带有黑膜的基质的生产方法和带有黑膜的基质无效
| 申请号： | 200480022790.8 | 申请日： | 2004-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN1833052A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 小岛忠昭;田口裕康 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C23C18/18 | 分类号： | C23C18/18;C23C18/32;C23C18/31;C25D5/48 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 林柏楠;刘金辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本文提供了一种生产带有黑膜的基质的方法，包括在基质表面上形成无光镀膜，在上述无光镀膜表面上形成含有硫或氮化合物的无电电镀膜，以及在上述无电电镀膜表面上形成黑膜。该带有黑膜的基质用于由于滑动或摩擦产生热或由于化学反应而产生/积累热的设备，例如半导体设备、真空设备、旋转设备和热交换器，并且黑膜具有优异的散热性能，其发射率为0.8或更大。该带有黑膜的基质对于卤素类腐蚀性气体具有耐蚀性并表现出优于得气体释放性能和在真空设备中的耐蚀性。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 基质 生产 方法 | ||
【主权项】：
1、一种生产带有黑膜的基质的方法，包括在基质表面上形成无光镀膜，在上述无光镀膜表面上形成含有硫或氮化合物的无电电镀膜，以及在上述无电电镀膜表面上形成黑膜。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
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