[发明专利]半导体平坦化用研磨剂有效
申请号: | 200480023189.0 | 申请日: | 2004-08-11 |
公开(公告)号: | CN1836315A | 公开(公告)日: | 2006-09-20 |
发明(设计)人: | 茅根环司 | 申请(专利权)人: | 日立化成工业株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人: | 钟晶 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种半导体平坦化用研磨剂,含有氧化铈粒子和水,大于等于3μm的粗大氧化铈粒子的含量为小于等于固体中的500ppm(重量比),优选为小于等于固体中的100ppm,更优选氧化铈粒子的D99(研磨剂中的粒子全体的99体积%)为小于等于1μm。该研磨剂可以减少划痕的产生,并且在半导体装置的配线形成工艺中可以高速且精密地研磨半导体基板表面。 | ||
搜索关键词: | 半导体 平坦 化用 研磨剂 | ||
【主权项】:
1.一种半导体平坦化用研磨剂,其中,含有氧化铈粒子和水,粒径大于等于3μm的氧化铈粒子的含量为小于等于固体中的500ppm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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