[发明专利]线状元件无效
| 申请号： | 200480023536.X | 申请日： | 2004-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1836333A | 公开（公告）日： | 2006-09-20 |
| 发明（设计）人： | 笠间泰彦;表研次 | 申请（专利权）人： | 理想星株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京海虹嘉诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴小灿;张涛 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 线状MISFET的特征是具有柔软性与可挠性、并可形成任意形状的集成电路，常见的构造为源极区与漏极区并列配置的结构。然而，因为决定MISFET的电性通道长度由沿着圆柱形栅极绝缘区的源极区与栅极区间的距离来决定，故难以提高通道长度的细微化与再现性。因此，本发明提供一种在源极区与漏极区间设置由通道区组成的半导体区，形成MISFET结构。间隔着栅极绝缘区对半导体区施加控制电压，控制在源极区与漏极区间流动的电流。由于此通道长度决定于半导体区的膜厚，因此可提高通道长度的细微化与再现性。 | ||
| 搜索关键词： | 线状 元件 | ||
【主权项】：
1.一种线状元件，其特征在于，在具有栅极电极、栅极绝缘区、源极区、漏极区与半导体区的线状元件。在元件区剖面的径向上，在单一或复数源极区和单一或复数漏极区之间设置半导体区，并使上述半导体区与部分栅极绝缘区产生接触。
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