[发明专利]有机金属铱化合物,制备它的方法,以及制备薄膜的方法有效
| 申请号： | 200480023620.1 | 申请日： | 2004-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN1835961A | 公开（公告）日： | 2006-09-20 |
| 发明（设计）人： | 河野和久;高森真由美;大岛宪昭 | 申请（专利权）人： | 东曹株式会社;财团法人相模中央化学研究所 |
| 主分类号： | C07F17/00 | 分类号： | C07F17/00;C23C16/18;C07F15/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 赵仁临;张平元 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种具有低熔点及优异蒸发性能而且能在低温下在衬底上淀积成薄膜的有机金属化合物；以及一种从这种有机金属化合物制备铱基薄膜的方法。通式[2]和通式[3]所代表的化合物：[2][3]与通式[4]所代表的化合物反应，得到通式[1]所代表的有机铱化合物：[1][式中R1代表氢或低级烷基；R2代表低级烷基；X代表卤素；而M代表碱金属]。此化合物用作制备铱基薄膜的原料。 | ||
| 搜索关键词： | 有机 金属 化合物 制备 方法 以及 薄膜 | ||
【主权项】：
1.下列通式(1)所代表的有机金属铱化合物：![]()
式中R1代表氢原子或低级烷基；而R2代表低级烷基。
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