[发明专利]半导体装置及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200480023641.3 申请日: 2004-08-11
公开(公告)号: CN1836326A 公开(公告)日: 2006-09-20
发明(设计)人: 岩渊信 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: H01L23/12 分类号: H01L23/12;H01L25/04;H01L23/52;H01L27/04
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 浦柏明;刘宗杰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种MCM型的半导体装置,可高速动作并实现低功耗,同时,可防止MCM的可靠性或者成品率的降低。直接电连接芯片内部电路(30)、(32)间的信号线,由此,谋求低功耗和高速化。在该信号线上设置保护静电损伤的保护电路(406)。制造装置时,通过连接布线(12)连接芯片内部电路(30)、(32)之间时,预先将保护电路(406)连接到信号线(内部引出线(12a)、内部布线(14))上,由此,即使半导体芯片(20)、(22)所带的电荷流入到信号线上,也可由保护电路(406)进行吸收,所以,可保护电路元件免受静电损伤。连接完成后,将保护电路(406)从信号线上断开,由此,通常使用时,保护电路(406)不成为芯片内部电路(30)、(32)的负载,可防止动作速度的降低。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种具有多个半导体芯片而构成的半导体装置,该半导体芯片由半导体元件构成且至少形成有内部电路,其特征在于:直接电连接信号线,该信号线用于连接分别在所述多个半导体芯片上形成的所述内部电路之间,同时,设置了第1保护电路,该第1保护电路用于防止所述半导体元件受到连接所述内部电路之间的信号线的、与所述连接相关的损伤。
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