[发明专利]低介电常数绝缘膜的制造无效
| 申请号： | 200480023656.X | 申请日： | 2004-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN1836316A | 公开（公告）日： | 2006-09-20 |
| 发明（设计）人： | 佐佐木胜;星野聪彦;井出真司;柏木勇作 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/312;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及降低通过化学蒸镀法形成的含有Si、O和CH的绝缘膜的介电常数的方法。向等离子体处理装置的反应容器内供给含有氢原子的加工气体。向反应容器内导入微波并供给均匀的电磁波，由此在反应容器内产生含有氢游离基的等离子体。通过照射于绝缘膜的等离子体含有的氢游离基，改变绝缘膜的结构，降低介电常数。经过径向槽天线向反应容器内供给微波。 | ||
| 搜索关键词： | 介电常数 绝缘 制造 | ||
【主权项】：
1.一种形成低介电常数绝缘膜的方法，其特征在于，具备：将通过化学蒸镀法形成的含有Si、O和CH的绝缘膜的基板配置在反应容器内的工序；向所述反应容器内供给含有氢原子的加工气体的同时，通过向所述反应容器内供给微波，在所述反应容器内产生含有氢游离基的等离子体的工序；和通过所述等离子体含有的氢游离基改变所述基板上堆积的绝缘膜的结构，降低所述绝缘膜的介电常数的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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