[发明专利]双极晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 200480023663.X | 申请日： | 2004-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1836321A | 公开（公告）日： | 2006-09-20 |
| 发明（设计）人： | A·J·约瑟夫;刘奇志 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/8222 | 分类号： | H01L21/8222;H01L21/331;H01L27/082 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种高fT和fmax的双极晶体管(100)，包括发射极(104)、基极(120)和集电极(116)。发射极具有下部分(108)和延伸超过下部分的上部分(112)。基极包括内基极(140)和外基极(144)。内基极位于发射极的下部分和集电极之间。外基极从发射极的下部分延伸超过发射极的上部分，并包括从发射极的上部分下面和发射极的上部分下面以外延伸的连续导体(148)。连续导体提供了从基极接触(未示出)到内基极的低电阻通路。晶体管可以包括未在发射极的上部分下面延伸的第二导体(152)，所述第二导体进一步减小通过外基极的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双极器件，包括：(a)衬底，具有集电极；(b)发射极，与所述集电极隔开；(c)基极，具有位于所述衬底和所述发射极之间的第一部分和包围所述第一部分的第二部分，所述基极包括位于所述第一和第二部分中的第一导体，并在所述第一部分中具有第一电导以及在所述第二部分中具有第二电导，其中所述第一电导和所述第二电导基本上相互相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
