[发明专利]具有耐腐蚀层的陶瓷制品、结合了该陶瓷制品的半导体加工设备以及制造陶瓷制品的方法有效
申请号: | 200480023787.8 | 申请日: | 2004-08-19 |
公开(公告)号: | CN1839216A | 公开(公告)日: | 2006-09-27 |
发明(设计)人: | M·A·辛普森;D·比耶尔 | 申请(专利权)人: | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;H01L21/00;C04B41/45 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 沙永生 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 提供了一种制品,该制品包括基材和在该基材上的耐腐蚀涂层。该基材通常主要由氧化铝组成,耐腐蚀涂层与基材直接接触,因此在基材和耐腐蚀层之间不存在中间层,例如高温处理过程生成的反应产物。耐腐蚀涂层通常主要由稀土氧化物组成,其粘合强度不小于约15兆帕。根据特定的实施方式,所述制品是用来加工半导体晶片的半导体加工设备中所用的陶瓷部件。 | ||
搜索关键词: | 具有 腐蚀 陶瓷制品 结合 半导体 加工 设备 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种陶瓷制品,该制品包括:主要由氧化铝组成的基材;和在所述基材上的主要由稀土氧化物组成的耐腐蚀涂层,所述耐腐蚀涂层与所述基材直接接触,使该陶瓷制品在所述基材和所述耐腐蚀涂层之间不存在中间层,所述耐腐蚀涂层的粘合强度不小于大约15兆帕。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的