[发明专利]曝光装置以及器件制造方法无效
申请号: | 200480023855.0 | 申请日: | 2004-07-07 |
公开(公告)号: | CN1839463A | 公开(公告)日: | 2006-09-27 |
发明(设计)人: | 木内彻;三宅寿弘 | 申请(专利权)人: | 株式会社尼康 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;G03F7/20;G02B7/02 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 曝光装置(EX),是经由投影光学系统(PL)和液体(LQ)将图形像投影在衬底(W)上的装置,投影光学系统(PL),具有与液体(LQ)接触的光学部件(G12)以及配置在光学部件(G12和中间掩模(R)之间的光学组(MPL)。保持光学部件(G12)和光学组(MPL)的保持机构(HG),以相对于光学组(MPL)可动的方式保持光学部件(G12)。通过这样的构成,可以提供能够抑制在投影光学系统和衬底之间填满液体而进行曝光处理时的图形像的劣化的曝光装置。 | ||
搜索关键词: | 曝光 装置 以及 器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种曝光装置,具备包括与液体接触的光学部件以及配置在该光学部件和图形之间的光学组的投影光学系统,通过经由所述投影光学系统和所述液体将所述图形的像投影在衬底上使所述衬底曝光,其特征在于:具备保持所述光学部件和所述光学组的保持机构,所述保持机构以相对于所述光学组可动的方式保持所述光学部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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