[发明专利]ITO溅射靶有效
| 申请号： | 200480023856.5 | 申请日： | 2004-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN1839215A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 栗原敏也 | 申请（专利权）人： | 株式会社日矿材料 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 樊卫民;郭国清 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种ITO溅射靶，其特征在于，在ITO溅射靶中，以王水腐蚀时或溅射腐蚀时，表面出现的粒径在100nm以上的粒子的个数为1个/μm2以下，并且密度在7.12g/cm3以上。其有效地抑制溅射特性，特别抑制电弧放电的产生，抑制由于该电弧放电而生成的ITO膜的缺陷的产生，抑制ITO膜的品质降低。 | ||
| 搜索关键词： | ito 溅射 | ||
【主权项】：
1.一种ITO溅射靶，其特征在于，在ITO溅射靶中，以王水腐蚀时或溅射腐蚀时，表面出现的粒径在100nm以上的粒子的个数为1个/μm2以下。
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