[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200480023865.4 | 申请日： | 2004-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN101160663A | 公开（公告）日： | 2008-04-09 |
| 发明（设计）人： | 安托尼·香西奥;马克·D·格里斯沃尔德;阿穆德哈·R·伊鲁达亚姆;珍妮弗·H·莫里松 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L29/00 | 分类号： | H01L29/00;H01L29/94;H01L29/76 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏;黄启行 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 通过在下电极(11)和/或电容器电介质上形成导电的平滑层(16，19)，形成由于几何增强电场下降而具有改进的性能和平滑的电极的MIM电容器。在一个实施例中，在由难熔氮化物形成的第一盖层(14)上形成包括难熔金属或富难熔金属氮化物的第一层(16)。此外，在电容器电介质上可形成包括难熔金属(18)或富难熔金属氮化物的第二层(19)。导电的平滑层(16，19)还可用于其它半导体器件，例如栅极和栅极电介质之间的晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；在半导体衬底上形成的第一电极；在第一电极上形成的第一导电平滑层，其中第一导电平滑层具有比第一电极更小的表面粗糙度；在第一导电平滑层上形成的电介质层；和在电介质层上形成的第二电极。
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