[发明专利]在三元混合物中包含铜的PVD靶和形成含铜PVD靶的方法无效
| 申请号： | 200480023992.4 | 申请日： | 2004-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN1839213A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | B·J·丹尼尔斯;C·J·豪斯曼;C·L·哈奇森;李逸亨;易骛文;S·D·斯特罗特尔斯;M·R·平特;M·E·托马斯;A·S·巴哈纳浦 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | C23C14/14 | 分类号： | C23C14/14;C23C14/32;C23C14/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 范赤;王景朝 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明包括一种物理气相沉积靶，其含有铜和至少两种选自Ag、Al、As、Au、B、Be、Ca、Cd、Co、Cr、Fe、Ga、Ge、Hf、Hg、In、Ir、Li、Mg、Mn、Nb、Ni、Pb、Pd、Pt、Sb、Sc、Si、Sn、Ta、Te、Ti、V、W、Zn和Zr的其它元素，所述至少两种其它元素的总量为100ppm－10原子％。本发明还包括含有铜和至少两种添加元素的混合物的薄膜和互连件。本发明还包括含铜靶的形成。形成铜和两种或更多种元素的混合物。熔融浇铸该混合物，随后冷却形成坯锭，采用等径转角挤型和热机械加工中的一或二种方法对坯锭进行加工形成靶。 | ||
| 搜索关键词： | 三元 混合物 包含 pvd 形成 方法 | ||
【主权项】：
1、一种物理气相沉积靶，包含：大于或等于90原子％的铜；第一添加元素；和第二添加元素，所述第一和第二添加元素分别选自Ag、Al、As、Au、B、Be、Ca、Cd、Co、Cr、Fe、Ga、Ge、Hf、Hg、In、Ir、Li、Mg、Mn、Nb、Ni、Pb、Pd、Pt、Sb、Sc、Si、Sn、Ta、Te、Ti、V、W、Zn和Zr。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于霍尼韦尔国际公司，未经霍尼韦尔国际公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480023992.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：缝纫机的送布装置
- 下一篇：用于从气体分离二氧化硫的方法和装置
- 同类专利
- 专利分类
