[发明专利]垂直的纳米晶体管,用于其制造的方法和存储结构无效
| 申请号： | 200480024009.0 | 申请日： | 2004-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN1839481A | 公开（公告）日： | 2006-09-27 |
| 发明（设计）人： | 陈颉;罗尔夫·克嫩坎普 | 申请（专利权）人： | 哈恩－迈特纳研究所柏林有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 曾立 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明应该提出一种垂直的纳米晶体管，它良好地经受住机械负荷并且在其制造中不像迄今的已知现有技术那么昂贵。该任务根据本发明被这样解决，即垂直的纳米晶体管具有一个源极接触结构、一个漏极接触结构、一个栅极区域以及在源极接触结构和漏极接触结构之间的圆柱状的半导电性的沟道区域，其中圆柱状的沟道区域被嵌入一个柔韧的绝缘衬底中并且被由金属层在柔韧的绝缘衬底上以及在沟道区域的上部分中形成的栅极区域这样地包围，使得栅极区域和沟道区域的上部区段形成一种同轴结构，并且源极接触结构、半导电性的沟道区域和漏极接触结构被布置在垂直方向上，并且栅极区域具有对源极接触结构、对漏极接触结构以及对半导电性的沟道区域的电绝缘结构，以及柔韧的衬底的上侧和下侧都具有电绝缘结构。一种存储结构由多个这种垂直的纳米晶体管构成。对此还说明了用于制造的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 纳米 晶体管 用于 制造 方法 存储 结构 | ||
【主权项】：
1.垂直的纳米晶体管，它具有一个源极接触结构(S)、一个漏极接触结构(D)、一个栅极区域(G)以及在该源极接触结构(S)和该漏极接触结构(D)之间的一个圆柱状的半导电性的沟道区域(4)，其中该圆柱状的沟道区域(4)被嵌入一个柔韧的绝缘衬底(1)中并且被由一个金属层(M)在该柔韧的绝缘衬底(1)上以及在该沟道区域(4)的上部分中所形成的该栅极区域(G)这样地包围，使得该栅极区域(G)和该沟道区域(4)的上部分形成一种同轴结构，并且该源极接触结构(S)、该半导电性的沟道区域(4)和该漏极接触结构(D)被布置在垂直方向上，并且该栅极区域(G)具有对该源极接触结构(S)、对该漏极接触结构(D)以及对该半导电性的沟道区域(4)的一个电绝缘结构(3)，并且该柔韧的绝缘衬底(1)的上侧和下侧都具有一个电绝缘结构(3)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈恩－迈特纳研究所柏林有限公司，未经哈恩－迈特纳研究所柏林有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480024009.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于印刷卷筒的设备和方法
- 下一篇：用于合成烯烃、醇、醚和醛的方法和装置
- 同类专利
- 专利分类
