[发明专利]定制图像传感器中的栅极功函数

摘要

本发明实施例提供形成像素单元的方法和结果像素单元，像素单元包括在衬底表面形成的光电转换装置和邻近光电转换装置的晶体管。晶体管包括栅极及其下面的沟道区。栅极包括其功函数大于n+多晶硅的功函数的至少一个栅极区。沟道区包括在每个栅极区下面的各自的沟道部分。所述沟道区的至少一个部分的掺杂浓度至少部分地由相应的栅极区的功函数确定。

主权项

1.一种像素单元，它包括：在衬底表面上的光电转换装置；邻近所述光电转换装置的第一晶体管，所述第一晶体管包括栅极和所述栅极下面的沟道区，所述栅极包括其功函数大于n+多晶硅的功函数的至少一个栅极区，所述沟道区包括在每一个栅极区下面的各自的沟道部分，其中所述沟道区的至少一个沟道部分的掺杂浓度至少部分地由所述各自的栅极区的功函数确定。