[发明专利]光记录盘无效
申请号: | 200480024077.7 | 申请日: | 2004-06-30 |
公开(公告)号: | CN1839432A | 公开(公告)日: | 2006-09-27 |
发明(设计)人: | 菊川隆;福泽成敏;小林龙弘 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | G11B7/24 | 分类号: | G11B7/24 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李德山 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种光记录盘,即使当记录标记的长度或相邻记录标记之间的空白区域的长度比分辨率限制短时,它也能够对由包括记录标记和空白区域的记录标记阵列构成的数据进行记录/再现,这种光记录盘能够显著增加记录容量并且能够提高再现信号的C/N比。这种光记录盘包括基板(2)、第三电介质层(3)、光吸收层(4)、第二电介质层(5)、主要包括氧化铂的分解反应层(6)、第一电介质层(7)以及透光层(8)。分解反应层(6)的厚度为4-20nm。当用激光束(20)透过透光层(8)照射分解反应层(6)时,分解反应层(6)中的氧化铂被分解为铂和氧。如此产生的氧气形成腔,并且,由沉积在腔中的精细铂颗粒在分解反应层(6)上形成记录标记。 | ||
搜索关键词: | 记录 | ||
【主权项】:
1.一种光记录盘,被构成为可以通过利用数值孔径为0.7到0.9的物镜将波长λ为390nm到420nm的激光束会聚到其上,而将数据记录在其中,以及从中再现数据,所述光记录盘包括:基板;在所述基板上形成的、厚度为10nm到140nm的第三电介质层;在所述第三电介质层上形成的、厚度为5nm到100nm的光吸收层;在所述光吸收层上形成的、厚度为5nm到100nm的第二电介质层;在所述第二电介质层上形成的、厚度为2nm到20nm的、包含贵金属氧化物作为主要成分的分解反应层;在所述分解反应层上形成的第一电介质层;以及在所述第一电介质层上形成的、厚度为10μm到200μm的透光层,并且,所述光记录盘被构成为,当用所述激光束从所述透光层一侧照射所述光记录盘时,作为主要成分包含在所述分解反应层中的所述贵金属氧化物被分解为贵金属和氧,从而利用这样生成的氧气在所述分解反应层中形成气泡坑,并且,贵金属精细颗粒沉淀在所述气泡坑中,由此在所述分解反应层中形成记录标记。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社,未经TDK株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200480024077.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:翻译装置、翻译方法以及存储介质
- 下一篇:顺性的密封件及其系统和方法