[发明专利]模板层形成有效
| 申请号： | 200480024106.X | 申请日： | 2004-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN1926660A | 公开（公告）日： | 2007-03-07 |
| 发明（设计）人： | 刘纯利;玛利安·G.·萨达克;亚历山大·L.·巴尔;彼切－耶·尼古耶;沃恩－于·西恩;肖恩·G.·托马斯;特德·R.·怀特;谢强华 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/31;H01L21/84;H01L21/331;H01L21/336;H01L21/338;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 康建峰 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种形成应变半导体层的过程。该过程包括在晶片上流动含氯气体(例如氯化氢、氯气、四氯化碳和三氯乙烷)同时加热晶片。在一个实例中，含氯气体在缩合过程期间在用作用于形成应变半导体层(例如应变硅)的模板层的半导体层上流动。在其他实例中，含氯气体在缩合操作之后在晶片的二次加热期间流动。 | ||
| 搜索关键词： | 模板 形成 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：提供晶片，该晶片具有绝缘体上半导体(SOI)构造，该晶片包括包含锗和硅的第一半导体层；在晶片上流动含氯气体，同时加热晶片；在流动之后在第一半导体层上形成包含硅的第二半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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