[发明专利]掩蔽法

摘要

本发明涉及掩蔽法。在一个实施方案中，含硼掺杂的无定形碳的掩蔽材料在形成于半导体基底上的结构元件上形成。所述掩蔽材料包括至少约0.5原子％的硼。掩蔽材料基本上进行各向异性蚀刻，在结构元件侧壁上有效形成含硼掺杂无定形碳的被各向异性地蚀刻的侧壁隔离体。然后，对最接近隔离体的基底进行加工，同时使用含硼掺杂无定形碳的隔离体作为掩膜。在最接近隔离体的基底进行加工后，含硼掺杂无定形碳的隔离体从基底进行蚀刻。而且，也考虑了其它实施方案和方面。

主权项

1.一种掩蔽法，其包括如下步骤：在形成于半导体基底上的结构元件上形成含硼掺杂无定形碳的掩蔽材料，所述掩蔽材料包括至少约0.5原子％的硼；基本上各向异性地蚀刻掩蔽材料，以在所述结构元件侧壁上有效形成含硼掺杂无定形碳的被各向异性蚀刻的侧壁隔离体；使用含硼掺杂无定形碳的所述隔离体作为掩膜，同时加工最靠近该隔离体的基底；和基底进行所述加工之后，从基底上蚀刻含硼掺杂无定形碳的所述隔离体。