[发明专利]非常均匀的氧化物层、尤其是超薄层的受控生长无效
| 申请号： | 200480024258.X | 申请日： | 2004-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN1842900A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·J·瓦格纳 | 申请（专利权）人： | FSI国际公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/311;H01L21/66;H01L21/28;H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及制造具有高水平的均匀度的氧化物层优选为超薄氧化物层的方法。一种这样的方法包括步骤：在半导体衬底的半导体表面上直接或间接地形成基本饱和或饱和的氧化物层；并且将基本饱和或饱和的氧化物层的厚度以刻蚀法减少一定量，使得刻蚀后的氧化物层具有小于基本饱和或饱和的氧化物层的厚度。在特定实施例中，本发明的方法提供具有小于约+/－10％的均匀度的刻蚀氧化物层。本发明还涉及由本发明的方法制成的微电子器件和用于实施本发明方法的制造系统。 | ||
| 搜索关键词： | 非常 均匀 氧化物 尤其是 薄层 受控 生长 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物层的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底的半导体表面上直接或间接地形成基本饱和或饱和的氧化物层；以及将基本饱和或饱和的氧化物层的厚度以刻蚀法减少一定量，使得刻蚀后氧化物层的厚度小于基本饱和或饱和的氧化物层的厚度。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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