[发明专利]材料在半导体基片上的超临界流体辅助沉积无效
| 申请号： | 200480024332.8 | 申请日： | 2004-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN101124676A | 公开（公告）日： | 2008-02-13 |
| 发明（设计）人： | 许从应;托马斯·H·包姆;米凯尔·B·科岑斯基 | 申请（专利权）人： | 高级技术材料公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;樊卫民 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及材料在基片上的超临界流体辅助沉积，所述基片例如用于制造集成电路装置的半导体基片。采用超临界流体基组合物而实现上述沉积，所述组合物含有待沉积于基片表面上的材料的前体。该方法允许使用对气相沉积方法因缺乏必需的挥发性和传送性而完全不适用于沉积应用的前体。 | ||
| 搜索关键词： | 材料 半导体 基片上 临界 流体 辅助 沉积 | ||
【主权项】：
1.用于在基片上沉积材料的沉积组合物，所述沉积组合物包括超临界流体和待沉积于基片上的材料的前体。
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