[发明专利]用于形成接合焊垫的方法无效
| 申请号： | 200480024372.2 | 申请日： | 2004-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN1842905A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·S.·罗切;保利·C.·埃斯切利 | 申请（专利权）人： | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一个最顶层(64)在接合焊垫层(62)的上面、钝化层(68)和聚酰亚胺层(72)的下面形成。在钝化层(68)和聚酰亚胺层(72)内形成开口(70和74)从而暴露最顶层(64)，其在形成开口(70和74)期间保护接合焊垫层(62)。在一个实施例中，用过氧化氢和胺，例如氢氧化铵，选择性腐蚀暴露的最顶层(64)。因为化学剂不攻击接合焊垫层(62)，所以接合焊垫层的厚度不降低，因此保持了接合焊垫的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 接合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成接合焊垫的方法，该方法包括：提供一个半导体基片；在半导体基片上形成一个接合焊垫层(62)；在接合焊垫层上形成一个保护层(64)；以及用含有过氧化氢和胺的腐蚀化学剂除去一部分保护层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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