[发明专利]元件接合用基板、元件接合基板及其制造方法无效
| 申请号： | 200480024391.5 | 申请日： | 2004-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN1842907A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 横山浩樹;武田靖子;山本玲绪 | 申请（专利权）人： | 德山株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52;H01L23/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 胡烨 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供带焊锡层的陶瓷基板中，具备与含有存在环境问题的Pb的Sn－Pb共晶焊锡同等的熔点和接合强度的带无铅焊锡层的陶瓷基板。本发明的元件接合用基板由具备电极层的基板和形成于该电极层上的焊锡层构成，该焊锡层是包含(1)(i)Sn、(ii)Sn及Au或(iii)In构成的基本金属，(2)选自Bi、In(限于基本金属为Sn或Sn及Au时)、Zn、Au(限于基本金属为In时)及Sb的至少1种金属，(3)选自Ag、Ni、Fe、Al、Cu及Pt的至少1种金属而形成的无铅焊锡层，该焊锡层的厚度为1～15μm，表面粗度(Ra)在0.11μm以下。 | ||
| 搜索关键词： | 元件 接合 用基板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.元件接合用基板，该基板由具备电极层的基板和形成于该电极层上的焊锡层构成，其中，该焊锡层是包含(1)(i)Sn、(ii)Sn及Au或(iii)In构成的基本金属，(2)选自Bi、In(限于基本金属为Sn或Sn及Au时)、Zn、Au(限于基本金属为In时)及Sb的至少1种金属，(3)选自Ag、Ni、Fe、Al、Cu及Pt的至少1种金属而形成的无铅焊锡层，该焊锡层的厚度为1～15μm，表面粗度(Ra)在0.11μm以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
