[发明专利]在晶片上沉积薄膜的方法

摘要

本发明提供一种使用薄膜沉积设备沉积薄膜的方法。该沉积薄膜的方法包括的操作步骤是：装载晶片至晶片块；通过第一和第二注入孔向晶片注入第一反应气体和热活化的第二反应气体进行沉积薄膜；流入含有H元素的热处理气体淹没薄膜以减少薄膜中的杂质；以及从晶片块卸载已经沉积上了薄膜的晶片。如果第二反应气体在通过气体加热通道单元之前具有温度T1而在通过气体加热通道单元后具有温度T2，则T2高于T1，并且如果热处理气体在通过气体加热通道单元之前具有温度T1而在通过气体加热通道单元后具有温度T3，则T3与T1一样或更高。

主权项

1.一种使用薄膜沉积设备沉积薄膜的方法，该设备包括一个反应腔室，具有位于该反应腔室中的晶片块，用以将被装载的晶片加热至预定的温度，一个盖在反应腔室上以密封该反应腔室的顶盖，以及一个连接于顶盖下方且具有第一注入孔和第二注入孔的喷头，通过上述注入孔第一反应气体和第二反应气体被注入到晶片中，一个反应气体供应单元，向反应腔室供应该第一和第二反应气体，以及一个气体加热通道单元以加热通过它的气体，该气体加热通道单元安装在位于第一和第二传输管线之间的第二传输管线上，该第一和第二传输管线连接反应腔室和反应气体供应单元，该方法包括的操作步骤是：装载晶片至晶片块；通过第一和第二注入孔向晶片注入第一反应气体和热活化的第二反应气体进行沉积薄膜；流入含有H元素的热处理气体淹没薄膜以减少薄膜中的杂质；以及从晶片块卸载已经沉积上了薄膜的晶片，其中第二反应气体在通过气体加热通道单元之前具有温度T1而在通过气体加热通道单元后具有温度T2，则T2高于T1，并且如果热处理气体在通过气体加热通道单元之前具有温度T1而在通过气体加热通道单元后具有温度T3，则T3与T1一样或更高。