[发明专利]制造CMOS场效应晶体管的方法和设备无效
| 申请号： | 200480024692.8 | 申请日： | 2004-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN1853266A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | 小西里尔·卡布拉尔;杨美基;贾库布·科德泽尔斯克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 张浩 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造互补金属氧化物半导体(CMOS)场效应晶体管的方法，包括包含该晶体管的栅极电极的多晶硅材料的有选择性掺杂和完全硅化。在一种实施例中，在硅化之前，非晶化多晶硅。在进一步的实施例中，在低基片温度下执行硅化。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 cmos 场效应 晶体管 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种制造互补金属氧化物半导体(CMOS)场效应晶体管的方法，包括如下的步骤：(a)提供基片；(b)在所说的基片上提供形成在晶体管的栅极结构的栅极电介质层上的多晶硅层；(c)使用至少一种掺杂剂对多晶硅层掺杂；(d)形成栅极结构的多晶硅栅极电极；(e)将金属和合金中的至少一种淀积在多晶硅栅极电极上；以及(f)使多晶硅栅极电极硅化以在所说的栅极电介质层附近形成硅化物。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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