[发明专利]用于沉积半导体晶片薄膜和使其平面化的装置和方法无效
| 申请号： | 200480024730.X | 申请日： | 2004-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN1842618A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | M·瑞夫肯;J·柏依;Y·N·多迪;F·C·瑞德克;J·M·德赖瑞厄斯 | 申请（专利权）人： | 兰姆研究有限公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;C25D5/22;C25D5/02;H01L21/288 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 范赤;段晓玲 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 提供了一种用于在晶片表面上沉积金属层的电镀装置。在一个例子中，能被充电作为阳极的邻近头紧靠着晶片表面放置。在晶片和邻近头之间提充电镀流体以产生局部金属电镀。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 沉积 半导体 晶片 薄膜 平面化 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于电镀晶片表面的电镀装置，晶片表面能被充电作为阴极，包括：能被充电作为阳极的邻近头，该邻近头具有多个输入和多个输出，当该邻近头靠近晶片表面放置时，多个输入中的每一个都能输送流体到晶片表面，多个输出中的每一个都能从晶片表面移出流体，当晶片和邻近头被充电时，流体到晶片表面的输送和从晶片表面移出能实现局部金属电镀。
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