[发明专利]氮化物类半导体元件有效
| 申请号： | 200480024805.4 | 申请日： | 2004-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN1842917A | 公开（公告）日： | 2006-10-04 |
| 发明（设计）人： | 大塚康二;杢哲次;佐藤纯治;多田善纪;吉田隆 | 申请（专利权）人： | 三垦电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/26 | 分类号： | H01L29/26;H01L29/73;H01L29/78;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 浦柏明;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 准备了掺杂p型杂质而且具有充分导电性的p型硅基板1。在基板1上依次外延生长由n型AlInGaN构成的缓冲区3、由n型GaN构成的n型氮化物半导体层13、有源层14及由p型GaN构成的p型氮化物半导体层15。通过p型硅基板1与由n型AlGaInN构成的n型缓冲区3的异质结中的界面能级，提高硅基板1的载流子向n型缓冲区3的输运效率，降低发光二极管的驱动电压。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 物类 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物类半导体元件，其特征在于，具备：具有导电性的p型硅基板；在上述p型硅基板的一个主面上形成的n型氮化物半导体区；用于形成配置在上述n型氮化物半导体区上的半导体元件的主要部分的主半导体区；与上述主半导体区连接的第1电极；以及与上述p型硅基板的另一个主面连接的第2电极。
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