[发明专利]超导膜及其制造方法无效
申请号: | 200480024812.4 | 申请日: | 2004-08-27 |
公开(公告)号: | CN1842878A | 公开(公告)日: | 2006-10-04 |
发明(设计)人: | 松本要;向田昌志;吉田隆;一濑中;堀井滋 | 申请(专利权)人: | 独立行政法人科学技术振兴机构;财团法人电力中央研究所 |
主分类号: | H01B12/06 | 分类号: | H01B12/06;H01B13/00;H01L39/24;C01G1/00;C01G3/00;C23C14/08 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及一种超导膜及其制造方法,该超导膜包括基底以及在基底上形成的超导层,其中,在该基底表面形成了平行于电流方向的纳米凹槽,并在位于该纳米凹槽上的超导层中引入了二维晶体缺陷。本发明的超导膜以低成本获得且具有很高的Jc,可应用于电缆、磁体、防护体、限流器、微波设备以及这些制品的半成品中。 | ||
搜索关键词: | 超导 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种超导膜,其具有基底以及在该基底上形成的超导层,其中,基底表面形成了平行于电流方向的纳米凹槽,该基底表面上具有超导层,并在该纳米凹槽上的超导层中引入了二维晶体缺陷。
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