[发明专利]薄膜发光二极管芯片及其制造方法无效
| 申请号： | 200480024845.9 | 申请日： | 2004-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1846316A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | J·鲍尔;B·哈恩;V·海勒 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;张志醒 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 要求保护一种薄膜发光二极管芯片(5)，其具有一个被布置于载体元件(2)上的外延层序列(6)和一个被布置于该外延层序列(6)的朝向所述载体元件(2)的主面上的反射层(3)，其中所述外延层序列具有一个产生电磁辐射的有源区(8)，所述反射层将在所述外延层序列(6)中所产生的电磁辐射的至少一部分反射回到该外延层序列内，其中，在所述外延层序列(6)的背离所述载体元件(2)的辐射耦合输出面(7)上布置一个结构化层(1)，该层包含有玻璃材料并具有一种结构，该结构具有在离开所述辐射耦合输出面(7)的方向上缩小的并排突起(5)，该突起具有比从所述外延层序列(6)发出的电磁辐射的波长要小的横向光栅尺寸。该结构化层(1)被优选地作为旋涂玻璃被涂敷，并通过灰色调光刻术被结构化。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 发光二极管 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜发光二极管芯片(5)，其具有一个被布置于载体元件(2)上的外延层序列(6)和一个被布置于该外延层序列(6)的朝向所述载体元件(2)的主面上的反射层(3)，其中所述外延层序列(6)具有一个产生电磁辐射的有源区(8)，所述反射层(3)将在所述外延层序列(6)中所产生的电磁辐射的至少一部分反射回到该外延层序列内，其特征在于，在所述外延层序列(6)的背离所述载体元件(2)的辐射耦合输出面(7)上布置一个结构化层(1)，该层包含有玻璃材料并具有一种结构，该结构具有在离开所述辐射耦合输出面(7)的方向上缩小的并排突起(5)，该突起(5)具有比从所述外延层序列(6)发出的电磁辐射的波长要小的横向光栅尺寸。
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