[发明专利]具有平行互补鳍片场效应晶体管对的集成电路有效
| 申请号： | 200480024967.8 | 申请日： | 2004-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1846309A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | A·布赖恩特;W·F·克拉克;D·M·弗里德;M·D·贾菲;E·J·诺瓦克;J·J·派卡里克;C·S·帕特南 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/76;H01L21/00;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种用于集成电路结构的方法和结构，该集成电路结构利用了互补鳍片型场效应晶体管(FinFET)。本发明具有包括第一鳍片(100)的第一类型FinFET，以及包括平行于第一鳍片(100)延伸的第二鳍片(102)的第二类型FinFET。本发明还具有位于第一类型FinFET和第二类型FinFET的源极/漏极区域(130)之间的绝缘鳍片。绝缘鳍片具有与第一鳍片(100)和第二鳍片(102)基本相同的宽度尺寸，以便第一类型FinFET和第二类型FinFET之间的间隔大约等于一个鳍片的宽度。本发明还具有在第一类型FinFET和第二类型FinFET的沟道区域上形成的公共栅极(106)。栅极(106)包括与第一类型FinFET相邻的第一杂质掺杂区域和与第二类型FinFET相邻的第二杂质掺杂区域。第一杂质掺杂区域和第二杂质掺杂区域之间的差别给所述栅极提供与第一类型FinFET和第二类型FinFET之间的差别相关的不同的功函数。第一鳍片(100)和第二鳍片(102)具有大约相同的宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 平行 互补 场效应 晶体管 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种利用鳍片型场效应晶体管(FinFET)的集成电路结构，包括：第一FinFET，具有第一鳍片；第二FinFET，具有平行于所述第一鳍片延伸的第二鳍片；以及绝缘鳍片，位于所述第一FinFET和所述第二FinFET的源极/漏极区域之间，其中所述绝缘鳍片具有与所述第一鳍片和所述第二鳍片基本相同的宽度尺寸，以便所述第一FinFET和所述第二FinFET之间的间隔基本等于一个鳍片的宽度。
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