[发明专利]曝光设备和装置制造方法有效
| 申请号： | 200480025055.2 | 申请日： | 2004-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN1846298A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 长坂博之;大和壮一 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 董莘 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种曝光装置，其包括将掩模的图像投影至载台支承的衬底W上的投影光学系统，以及在投影光学系统和载台间形成特定气体气氛的气氛形成机构70、71，其中气氛形成机构70、71具有缓冲部件71a、71b，其削弱由载台或衬底W与气氛形成机构接触所产生的力，并抑制该力向投影光学系统PL的传递。该构造能防止因载台或衬底W与气氛形成机构70、71接触所产生的力传递至投影光学系统而损坏投影光学系统PL。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 设备 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种曝光设备，包括将掩模的图像投影至载台所支撑的衬底上的投影光学系统，以及在所述投影光学系统和所述载台或所述衬底之间形成特定流体气氛的气氛形成机构，其中所述气氛形成机构具有缓冲部件，用于削弱由与所述载台或所述衬底接触而产生的力，并抑制所述力向所述投影光学系统的传播。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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