[发明专利]形成含氘化氮化硅的材料的方法有效
| 申请号： | 200480025263.2 | 申请日： | 2004-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1849704A | 公开（公告）日： | 2006-10-18 |
| 发明（设计）人： | R·A·韦默;L·D·布雷纳 | 申请（专利权）人： | 微米技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/28;H01L21/8242;H01L21/336;C23C16/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘红;梁永 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明包括自至少一种氘化氮化合物与一种或多种不含有氢同位素的含硅化合物组合形成含氘化氮化硅的材料的方法。适合的氘化氮化合物包括如NH2D、NHD2和ND3。适合的含硅化合物包括如SiCl4和Si2Cl6。本发明的含氘化氮化硅的材料可结合到如晶体管装置中。该晶体管装置可用在DRAM单元中，其又可用在电子系统中。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 氘化 氮化 材料 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成含氘化氮化硅材料的方法，包括使用至少一种氘化氮化合物和一种或多种不含有氢同位素的含硅化合物的沉积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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