[发明专利]光学记录介质及其制造方法、以及用于光学记录介质的数据记录方法和数据读取方法无效
| 申请号： | 200480025272.1 | 申请日： | 2004-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN1846254A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 菊川隆;福泽成敏;小林龙弘 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | G11B7/004 | 分类号： | G11B7/004;G11B7/24;G11B7/26 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 宋丹氢;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 根据本发明的一种光学记录介质(10)，包括：其上形成有凹槽(11a)的支撑基板(11)、透光层(12)，在支撑基板(11)与透光层(12)之间设置的贵金属氧化物层(23)，其中，凹槽(11a)的深度设定为大于λ/8n但小于等于60nm，此处，n是透光层(12)对波长为λ的光的折射率。因此，通过将激光束照射在贵金属氧化物层(23)上，在进行超分辨率记录和超分辨率读取时，可获得良好的信号特性，尤其是有足够幅值的推挽信号。此外，因为凹槽的深度设定为60nm或更小，在生产用于制造基板的模片时不会出现较大的困难。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 记录 介质 及其 制造 方法 以及 用于 数据 读取 | ||
【主权项】：
1.一种光学记录介质，包括：其上形成有凹槽的基板；设置在所述基板上的贵金属氧化物层；第一电介质层，当从所述贵金属氧化物层观看，该第一电介质层设置在光入射平面侧；以及第二电介质层，当从所述贵金属氧化物层观看，该第二电介质层设置在所述光入射平面的相对侧；其中，通过将波长为λ的激光束沿着所述凹槽照射在所述贵金属氧化物层上，所述光学记录介质能记录数据，以及所述凹槽的深度设定为大于λ/8n但小于等于60nm，此处，n是所述激光束的光路对波长为λ的光的折射率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于TDK株式会社，未经TDK株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480025272.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：缠绕式晾衣防风固定带
- 下一篇：校准比较器电路
