[发明专利]半导体受光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200480025324.5 | 申请日： | 2004-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN1846314A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 田中章雅 | 申请（专利权）人： | 浜松光子学株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/10 | 分类号： | H01L31/10;H01L31/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及可保持机械强度，同时能充分小型化的半导体受光元件等。所述半导体受光元件具备层构造体和玻璃基板。层构造体由顺次叠层的抗反射膜、n型(第一导电型)高浓度载流子层、n型光吸收层和n型覆盖层构成。在层构造体的抗反射膜侧隔着二氧化硅膜与玻璃基板接合。玻璃基板相对于入射光为光学透明。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体受光元件，叠层有多个化合物半导体层，其特征在于，具备：包含所述多个化合物半导体层的层构造体；设置在所述层构造体的光入射面侧的二氧化硅膜；和在所述层构造体的光入射面侧隔着所述二氧化硅膜接合、相对于入射光为光学透明的玻璃基板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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