[发明专利]等离子处理装置无效
| 申请号： | 200480025471.2 | 申请日： | 2004-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN1846300A | 公开（公告）日： | 2006-10-11 |
| 发明（设计）人： | 野泽俊久;石桥清隆 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L21/3065;C23F4/00;H05H1/46;C23C16/511 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在腔室(1)上部的开口部配置有由微波驱动并产生电磁场的天线部(3)，在天线部(3)的下部设置有密封腔室(1)的开口部的顶板(4)，在顶板(4)的下表面一侧设置有环形的突条(41)，其径向的厚度以锥形连续变化，从而在等离子的任意条件下均可以在某处产生共振。由此，仅准备一种顶板就可以起到与准备各种厚度的顶板相同的效果，可以使等离子的吸收率显著提高，并且从高压至低压均可以稳定地产生等离子。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子处理装置，其包括：等离子发生室，其收存被处理衬底，并产生等离子；天线，其配置在所述等离子发生室上部的开口部，并由微波驱动而产生电磁场；顶板，其设置在所述天线的下部，并在面方向上具有均匀的预定厚度，且密封所述等离子发生室的开口部；以及形成在所述项板的下表面一侧的、锥形的凸部或凹部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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