[发明专利]用于制备稳定的理想的氧沉淀硅片的方法

摘要

本发明涉及一种单晶直拉型硅片，以及一种用于制备该硅片的方法，该硅片中的稳定的氧沉淀物成核中心具有非均匀的分布。具体地，峰值浓度位于硅片主体内，而无沉淀物区域从表面向内延伸。

主权项

1.一种用于制备具有受控的氧沉淀特性的单晶硅片的方法，该方法包括以下步骤：选择从通过直拉法生长的单晶硅锭切片得到的硅片，该硅片包括正面、背面、位于所述正面和背面之间的中心平面、包含位于该正面和从该正面朝中心平面测量出的距离D之间的硅片区域的正面层、以及包含位于中心平面和正面层之间的硅片区域的主体层；将所述硅片加热到退火温度TA以便在所述正面层和主体层中形成晶格空位；将被加热的硅片以速率R从TA冷却到上限成核温度Tu以便在硅片中形成一种空位浓度分布，其中空位的峰值密度在主体层内，并且浓度总体上从峰值密度的位置沿硅片的正面的方向减小；以及将具有所述空位浓度分布的硅片在由Tu和下限成核温度TL限定的成核温度范围内保持一段成核时间tn，以在主体层中形成不会在低于大约1150℃的温度下溶解的氧沉淀物成核中心，并在表面层中形成无氧沉淀物成核中心的区域。