[发明专利]在有机树脂材料中形成开口的改进方法无效
申请号: | 200480025936.4 | 申请日: | 2004-09-09 |
公开(公告)号: | CN1853257A | 公开(公告)日: | 2006-10-25 |
发明(设计)人: | 特雷沃·林赛·扬;帕特里克·拉斯韦尔 | 申请(专利权)人: | CSG索拉尔有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 顾晋伟;刘继富 |
地址: | 德国塔*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 将有机树脂材料如线型酚醛树脂薄膜(17)用作蚀刻掩模,并且以预定图案在掩模中形成开口(32)以允许在由所述开口限定的选择区域中进行加工。通过将腐蚀性蚀刻剂的液滴(76)图案涂布在将要形成开口的区域中而形成开口(32),蚀刻剂例如是氢氧化钠(NaOH)或氢氧化钾(KOH)。使用喷墨打印机(90)涂布液滴(76),该喷墨打印机(90)扫描整个有机树脂表面反复涂布所述液滴。液滴(76)的尺寸限定开口(32)的大小并且允许完全移除液滴(76)下方的有机树脂(17)。在蚀刻剂已经蚀刻贯穿有机树脂而暴露出下方表面(12)之后,将蚀刻剂从有机树脂和开口(32)中洗去。 | ||
搜索关键词: | 有机 树脂 材料 形成 开口 改进 方法 | ||
【主权项】:
1.一种以预定图案在有机树脂材料薄膜中形成开口从而形成蚀刻掩模的方法,该方法包括:a)将腐蚀性蚀刻剂液滴图案涂布在有机树脂材料薄膜表面上将要打开所述树脂膜的位置处;b)在蚀刻剂已经蚀刻穿过有机树脂而暴露出下方表面之后,将蚀刻剂从有机树脂膜和开口中洗去。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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