[发明专利]单个或多个栅极场板的制造有效
| 申请号： | 200480025976.9 | 申请日： | 2004-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN1853261A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | A·池尼;U·K·米什拉;P·帕瑞克;Y·巫 | 申请（专利权）人： | 加利福尼亚大学董事会;克锐公司 |
| 主分类号： | H01L21/338 | 分类号： | H01L21/338;H01L31/072;H01L27/095;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种制造单个或多个栅极场板的方法，其利用了下列连续步骤：在场效应晶体管表面上进行介电材料沉积/生长、介电材料蚀刻以及金属蒸镀。由于介电材料沉积/生长是一种充分可控的处理，因此这种制造方法允许对场板工作进行严格控制。而且，沉积在器件表面上的介电材料无需从器件本征区中去除：这实质上使得无需低损伤介电材料干法/湿法蚀刻便能实现场板器件。使用多个栅极场板还通过多个连接来减少栅极电阻，从而改善了大周边和/或亚微米栅器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 单个 栅极 制造 | ||
【主权项】：
1.一种制造一个或多个栅极场板的方法，包括：在一器件的表面上执行下列连续步骤：介电材料沉积或生长、介电材料蚀刻和金属蒸镀，以形成一个或多个场板，其中沉积在所述表面上的所述介电材料无需从有源区中去除，由此使得能够在不利用低损伤干法或湿法蚀刻处理的情况下实现场板器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
