[发明专利]多层基板的洗涤方法及基板的贴合方法、以及贴合晶片的制造方法

摘要

本发明提供一种多层基板的洗涤方法，在多层基板最表层的SiGe(硅锗)层表面形成保护膜，然后，通过能够蚀刻该保护膜的洗涤液以残有保护膜的方式来洗涤多层基板；一种贴合晶片的贴合方法，使经该洗涤方法洗涤过的多层基板的最表层与其它基板的表面贴合而成；以及，一种贴合晶片的制造方法，在单晶硅结合晶片的表面依顺序形成Si_1－XGe_X层、保护层，并通过保护层注入离子而形成离子注入层，洗涤结合晶片，使保护层表面黏着基体晶片，从离子注入层处进行剥离，在该因剥离而移至基片晶片侧的剥离层的表面形成热氧化膜，去除该热氧化膜而使浓缩硅锗层露出，并在该浓缩硅锗层的表面生长外延而成。借此，提供一种能够防止多层基板最表层的硅锗层面粗糙的洗涤方法及贴合方法，以及提供一种贴合晶片的制造方法，其能够防止伴随离子注入所引起的贴合不良。

主权项

1.一种多层基板的洗涤方法，至少具有硅锗层作为最表层的多层基板的洗涤方法，其中至少在该硅锗层的表面形成保护膜，随后通过能够蚀刻该保护膜的第1洗涤液以残余有该保护膜的方法来洗涤该多层基板。