[发明专利]用于闪存的升压衬底/槽编程有效
申请号: | 200480026225.9 | 申请日: | 2004-09-14 |
公开(公告)号: | CN1849670A | 公开(公告)日: | 2006-10-18 |
发明(设计)人: | H·A·纳扎瑞安 | 申请(专利权)人: | 微米技术股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/04 | 分类号: | G11C16/04 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 钱慰民 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 要求一种升压的衬底槽/衬底浮栅存储单元编程方法,它将电压施加于与非闪存阵列的衬底或衬底“槽”以便在将高栅编程电压施加于所选浮栅存储单元的栅极、并耦合编程或编程禁止电压以根据需要对所选浮栅存储单元编程之前,对浮栅存储单元中的载流子沟道充电。使用升压槽编程方法避免了在对浮栅存储单元编程期间,与非快闪阵列的位线和/或源极线电路设计必须承受或承载高电压的要求,并允许重新使用连接于衬底槽的块擦写高电压电路。这允许与非闪存阵列的较小型化的电路设计和/或较小型的电路特征元件。 | ||
搜索关键词: | 用于 闪存 升压 衬底 编程 | ||
【主权项】:
1.一种运作非易失性存储器件的方法,包括:将预充电压耦合于多个浮栅存储单元的与非架构存储阵列的衬底槽上,其中多个浮栅存储单元被耦合成多个串;将栅编程电压耦合到所选数量串的每串的所选浮栅存储单元的栅极;选择地将编程电压或编程禁止电压耦合于各串所选数量串的沟道中。
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