[发明专利]检测过度编程的存储器有效
| 申请号： | 200480026443.2 | 申请日： | 2004-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN1853239A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | 陈建;杰弗里·W·卢策 | 申请（专利权）人： | 桑迪士克股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国伟 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在非易失性半导体存储器系统(或其它类型的存储器系统)中，通过改变所述存储器单元的阈电压来编程一存储器单元。由于所述系统中不同存储器单元的编程速度的变化，所以存在某些存储器单元将被过度编程的可能性。即，在一个实例中，阈电压将被移动超过预期值或预期的值范围。本发明包括判定所述存储器单元是否被过度编程。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 过度 编程 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种用于在使用多个逻辑页的存储器系统中检测过度编程的方法，其包含以下步骤：使用用于一特定逻辑页的数据来编程一第一多状态存储元件；和使用来自不同于所述特定逻辑页的一逻辑页的数据来判定用于编程所述第一多状态存储元件的所述步骤是否过度编程所述多状态存储元件。
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