[发明专利]三轴加速计无效

专利信息
申请号: 200480026571.7 申请日: 2004-08-11
公开(公告)号: CN1853106A 公开(公告)日: 2006-10-25
发明(设计)人: 凯特加玛桑德拉姆·索利亚库玛;郭杰伟;布莱彦·K.·帕特蒙 申请(专利权)人: 森斯费伯私人有限公司
主分类号: G01P15/00 分类号: G01P15/00;G01P15/08;G01P15/125
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 马浩
地址: 新加坡*** 国省代码: 新加坡;SG
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摘要: 发明包括一种制造三轴加速计的方法。具有第一和第二主表面的第一晶片,在第一晶片的第一主表面上蚀刻至少两个空腔,将金属在第一晶片的第一主表面上形成图案以形成用于第三加速计的电连接。第二晶片,蚀刻第二晶片的第一主表面的一部分,将第一晶片的第一主表面粘合到第二晶片的第一主表面。对放置了镀金属并使其形式图案的表面进行蚀刻和粘合,并在第二晶片的第二主表面上放置掩膜层并使其形成图案,定义第一、第二和第三加速计的形状。第一和第二加速计将形成在在第一晶片的第一主表面上蚀刻的空腔之上。蚀刻第二晶片的第二主表面以形成加速计,其中,第一和第二加速计每个包括至少两组独立的横梁。随后从第二晶片的第二主表面去除掩膜层。
搜索关键词: 加速
【主权项】:
1、一种制造三轴加速计的方法,该方法包括以下步骤:提供具有第一主表面和第二主表面的绝缘材料的第一晶片,在第一晶片的第一主表面上蚀刻至少两个空腔,将金属在第一晶片的第一主表面上形成图案以形成用于第三加速计的电连接,提供半导体材料的第二晶片,蚀刻第二晶片的第一主表面的一部分,将第一晶片的第一主表面粘合到第二晶片的第一主表面,使得第二晶片的至少一部分蚀刻部分在第一晶片的至少一部分金属之上,在第二晶片的第二主表面上沉积镀金属并使其形成图案,在第二晶片的第二主表面上沉积掩膜层并使其形成图案,其限定第一加速计、第二加速计和第三加速计的形状,使得第一和第二加速计将形成在在第一晶片的第一主表面上蚀刻的空腔之上,蚀刻第二晶片的第二主表面以形成加速计,其中,第一和第二加速计每个包括至少两组独立的横梁,以及从第二晶片的第二主表面去除掩膜层。
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