[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 200480026661.6 | 申请日: | 2004-09-24 |
公开(公告)号: | CN1853274A | 公开(公告)日: | 2006-10-25 |
发明(设计)人: | 小林宏也;村松雅治 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | H01L27/14 | 分类号: | H01L27/14;H01L31/02;H01L21/56;H01L21/60 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 根据本发明,在该半导体装置中,能够防止半导体基板的薄型化部分的弯曲和破裂,维持对光检测单元的高精度聚焦和在光检测单元中的高灵敏度的均匀性和稳定性。半导体装置(1)备有半导体基板(10)、配线基板(20)、导电性突起(30)和树脂(32)。在半导体基板(10)中形成CCD(12)和薄型化部分(14)。半导体基板(10)的电极(16)经过导电性突起(30)与配线基板(20)的电极(22)连接。在薄型化部分(14)的外缘部分(15)与配线基板(20)之间的空隙中,为了增强导电性突起(30)的接合强度,充填绝缘性树脂(32)。该树脂(32)是以残留薄型化部分(14)与配线基板(20)之间的空隙的周围的一部分地包围该空隙的周围的方式预先形成的树脂片。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,包括:具有在一个面上形成的光检测单元、通过蚀刻另一个面的与所述光检测单元相对向的区域形成的薄型化部分、和设置在该薄型化部分的外缘部分的所述一个面上的、与所述光检测单元电连接的第一电极的半导体基板;具有对向配置在所述半导体基板的所述一个面侧,经过导电性突起与所述第一电极连接的第二电极的配线基板;和为了增强所述第一电极和所述第二电极中的各个电极与所述导电性突起的接合强度,充填在所述薄型化部分的外缘部分与所述配线基板之间的空隙中的树脂,所述树脂是以残留所述薄型化部分与所述配线基板之间的空隙的周围的一部分地包围该空隙的周围的方式预先形成的树脂片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的