[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 200480026662.0 申请日: 2004-09-24
公开(公告)号: CN1853275A 公开(公告)日: 2006-10-25
发明(设计)人: 小林宏也;村松雅治 申请(专利权)人: 浜松光子学株式会社
主分类号: H01L27/14 分类号: H01L27/14;H01L31/02;H01L21/56;H01L21/60
代理公司: 北京纪凯知识产权代理有限公司 代理人: 龙淳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 根据本发明,在该半导体装置中,能够防止半导体基板的薄型化部分的弯曲和破裂,维持对光检测单元的高精度聚焦和在光检测单元中的高灵敏度的均匀性和稳定性。半导体装置(1)备有半导体基板(10)、配线基板(20)、导电性突起(30)和树脂(32)。在半导体基板(10)中形成CCD(12)和薄型化部分(14)。半导体基板(10)的电极(16)经过导电性突起(30)与配线基板(20)的电极(22)连接。又,在配线基板(20)中,实施降低包围与薄型化部分(14)相对向的区域的区域(26a)和从区域(26a)延伸到外侧的区域(26b)的对树脂的浸润性的浸润性加工。在薄型化部分(14)的外缘部分(15)与配线基板(20)之间的空隙中,为了增强导电性突起(30)的接合强度,充填有绝缘性树脂(32)。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,其特征在于,该半导体装置包括:具有在一个面上形成的光检测单元、通过蚀刻另一个面的与所述光检测单元相对向的区域形成的薄型化部分、和设置在该薄型化部分的外缘部分的所述一个面上、与所述光检测单元电连接的第一电极的半导体基板;具有与所述半导体基板的所述一个面侧相对向配置、经过导电性突起与所述第一电极连接的第二电极的配线基板;和为了增强所述第一电极和所述第二电极中的各个电极与所述导电性突起的接合强度,充填在所述薄型化部分的外缘部分与所述配线基板之间的空隙中的树脂,在所述配线基板中,实施过降低包围与所述薄型化部分相对向的区域的第一区域和从该第一区域延伸到外侧的第二区域的对树脂的浸润性的浸润性加工;所述树脂,残留成为所述薄型化部分与所述配线基板之间的空隙的周围的一部分的所述第二区域地包围该空隙的周围。
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