[发明专利]从含有不稳定增溶基团的可溶聚合物在基材上制备不溶聚合物膜的方法无效
申请号: | 200480026673.9 | 申请日: | 2004-09-08 |
公开(公告)号: | CN1853287A | 公开(公告)日: | 2006-10-25 |
发明(设计)人: | M·G·迪比斯;M·因巴斯科南;P·H·Ⅲ·汤森;K·L·福斯特;冯绍光;D·J·布伦南;Q·J·牛;J·P·戈德斯考克斯;D·M·威尔士;R·E·德鲁姆赖特 | 申请(专利权)人: | 陶氏环球技术公司 |
主分类号: | H01L51/30 | 分类号: | H01L51/30 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 陈长会 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种通过以下步骤制备具有增强的物理性质的聚合物膜的方法,所述聚合物膜优选为电活性膜:向基材涂布含有悬垂的不稳定增溶基团的聚合物的溶液,然后除去溶剂和足够浓度的不稳定增溶基团,以使聚合物在所述溶剂中的溶解度小于不稳定基团除去前的溶解度。据信悬垂的可溶基团的除去a)使半导体骨架的电荷输送性能最优化,b)可以直接控制最后的膜的微结构,和c)使最后的膜在随后构造多层器件所需的工艺步骤中更加坚固。 | ||
搜索关键词: | 含有 不稳定 基团 可溶 聚合物 基材 制备 方法 | ||
【主权项】:
1、一种方法,该方法包括以下步骤:a)向基材涂布溶剂和含有不稳定增溶基团的聚合物的溶液;b)从溶液中除去溶剂,形成可溶的聚合物膜;和c)将足够量的不稳定增溶基团从可溶聚合物膜中除去或者转化,以在基材上形成膜,该膜在所述溶剂中的溶解度小于不稳定增溶基团除去或转化前的溶解度,其中所述的聚合物含有选自芴-2,7-二基和三芳基胺-二基的结构单元,并且其中通过热学方法、化学方法、或光学方法、或者它们的组合除去不稳定基团。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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