[发明专利]在固态照明系统中用于色温控制的硅绝缘体光电二极管光学监测系统无效
| 申请号： | 200480026999.1 | 申请日： | 2004-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN1853091A | 公开（公告）日： | 2006-10-25 |
| 发明（设计）人： | J·佩特鲁泽洛;T·莱塔维克;B·韦耶特 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G01J3/50 | 分类号： | G01J3/50;G01J3/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正;梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在固态照明系统中用于色温控制的硅绝缘体(SOI)光电二极管光学监测的方法和系统。该方法包括下述步骤：提供多个SOI光电二极管，其中每个SOI光电二极管包括硅衬底、形成在硅衬底上的埋入氧化层以及形成在埋入氧化层上的硅层，并且其中每个SOI光电二极管的硅层具有不同的厚度；关于波长和硅层的厚度确定穿过每个SOI光电二极管到达硅衬底的入射光的比例；以及基于所确定的比例计算入射光的彩色分量强度。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 照明 系统 用于 色温 控制 绝缘体 光电二极管 光学 监测 | ||
【主权项】：
1、一种形成硅绝缘体(SOI)光电二极管光学监测系统的方法，包含：提供多个SOI光电二极管(10；30)，其中每个SOI光电二极管包括硅衬底(12；32)、形成在硅衬底上的埋入氧化层(14；34)以及形成在埋入氧化层上的硅层(16；36)，并且其中每个SOI光电二极管的硅层具有不同的厚度；关于波长和硅层(16；36)的厚度确定穿过每个SOI光电二极管(10；30)到达硅衬底(12；32)的入射光的比例；以及基于所确定的比例计算入射光的彩色分量强度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于皇家飞利浦电子股份有限公司，未经皇家飞利浦电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200480026999.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于非重复充装盖的倾倒器的保持装置
- 下一篇：可以高温粘贴的耐热标签
